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Hot-holes generation and transport in n-MOSFETS: a Monte Carlo investigation 1-gen-1990 F., Venturi; C., Fiegna; Abramo, Antonio; E., Sangiorgi; B., Riccò
A new microscopic model for hole transport in silicon with application to sub-micron LDD MOSFETs 1-gen-1991 Abramo, Antonio; C., Fiegna; F., Venturi; R., Brunetti; E., Sangiorgi; C., Bergonzoni; B., Riccò
Optimization of physical parameters for high energy transport simulation in Si based on efficient electron energy distribution calculation 1-gen-1991 C., Fiegna; E., Sangiorgi; F., Venturi; Abramo, Antonio; B., Riccò
Modeling of high energy electrons in n-MOSFETs 1-gen-1991 C., Fiegna; E., Sangiorgi; F., Venturi; Abramo, Antonio; B., Riccò
An isotropic best-fitting band model for electrons and hole transport in Silicon 1-gen-1991 F., Venturi; Abramo, Antonio; E., Sangiorgi; J., Higman; C., Fiegna; B., Riccò
A numerical method to compute isotropic band models from anisotropic semiconductor band structures 1-gen-1992 Abramo, Antonio; F., Venturi; E., Sangiorgi; J. M., Higman; C., Fiegna; B., Riccò
A multi-band model for hole transport in silicon at high energies 1-gen-1992 Abramo, Antonio; F., Venturi; E., Sangiorgi; C., Fiegna; B., Riccò; R., Brunetti; W., Quade; C., Jacoboni
Unified Monte Carlo approach to the Boltzmann and Wigner equations” 1-gen-1992 P., Vitanov; M., Nedjalkov; C., Jacoboni; F., Rossi; Abramo, Antonio
Device simulation of small silicon MOSFET's using the Monte Carlo method 1-gen-1992 Abramo, Antonio; F., Venturi; E., Sangiorgi; C., Fiegna; B., Riccò
Non-local effects on the electron energy distribution in short devices under high-field conditions 1-gen-1992 F., Venturi; E., Sangiorgi; C., Fiegna; Abramo, Antonio; F., Capasso
Modeling of high energy transport in silicon by means of the Monte Carlo method 1-gen-1993 E., Sangiorgi; C., Fiegna; Abramo, Antonio
An efficient impact ionization model for silicon Monte Carlo simulation 1-gen-1993 C. S., Yao; D., Chen; R. W., Dutton; F., Venturi; E., Sangiorgi; Abramo, Antonio
Monte Carlo simulation of carrier-carrier interaction in silicon devices 1-gen-1993 Abramo, Antonio; R., Brunetti; C., Jacoboni; F., Venturi
n.a. 1-gen-1993 Abramo, Antonio; R., Brunetti; C., Fiegna; C., Jacoboni; B., Riccò; E., Sangiorgi; F., Venturi
A numerical method to compute isotropic band models from anisotropic semiconductor band structures 1-gen-1993 Abramo, Antonio; F., Venturi; E., Sangiorgi; J. M., Higman; B., Riccò
Mobility simulation in Si/SiGe heterostructure FETs 1-gen-1994 Abramo, Antonio; J., Bude; F., Venturi; M. R., Pinto
Mobility simulation in Si/SiGe heterostructure FETs 1-gen-1994 Abramo, Antonio; J., Bude; F., Venturi; M. R., Pinto
A multi-Band Monte Carlo approach to Coulomb interaction for device analysis 1-gen-1994 Abramo, Antonio; R., Brunetti; C., Jacoboni; F., Venturi; E., Sangiorgi
A combined transport-injection model for hot-electron and hot-hole injection in the gate oxide of MOS structures 1-gen-1994 A., Ghetti; Selmi, Luca; Sangiorgi, Enrico; Abramo, Antonio; F., Venturi
A comparison of numerical solutions of the Boltzmann Transport Equation for high energy electron transport silicon 1-gen-1994 Abramo, Antonio; L., Baudry; R., Brunetti; R., Castagné; M., Charef; F., Dessenne; P., Dolfus; R., Dutton; W. L., Engl; R., Fauquembergue; C., Fiegna; M. V., Fischetti; S., Galdin; N., Goldsman; M., Hackel; C., Hamaguchi; K., Hess; K., Hennacy; P., Hesto; J. M., Higman; T., Iizuka; C., Jungemann; Y., Kamakura; H., Kosina; T., Kunikiyo; S., Laux; H., Lin; C., Maziar; H., Mizuno; H. J., Peifer; S., Ramaswamy; N., Sano; P. G., Scrobohaci; S., Selberherr; M., Takenaka; T. W., Tang; K., Taniguchi; J. L., Thobel; R., Thoma; K., Tomizawa; M., Tomizawa; T., Vogelsang; S. L., Wang; X., Wang; C. S., Yao; P. D., Yoder; A., Yoshii
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