Spatial distribution of interface traps in 65 nm pMOSFETs irradiated to ultra-high doses

G. Borghello
;
2018-01-01

File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
RADECS 2018 - Spatial Distribution of Interface Traps in 65 nm pMOSFETs Irradiated to Ultra-High Doses - Summary.pdf

non disponibili

Tipologia: Documento in Pre-print
Licenza: Non pubblico
Dimensione 640.64 kB
Formato Adobe PDF
640.64 kB Adobe PDF   Visualizza/Apri   Richiedi una copia

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11390/1139277
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact