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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Characterization and Modeling of Hot-Carrier Luminescence in Silicon n+/n/n+ Devices 1-gen-1995 Selmi, Luca; Mastrapasqua, M; Boulin, D. M.; Bude, J; Manfredi, M; Sangiorgi, Enrico; Pinto, M. R.
Characterization and Modeling of long term retention in SONOS Non Volatile Memories 1-gen-2007 Arreghini, A; Akil, N; Driussi, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca; VAN DUUREN, M. J.
Characterization and modelling of differential sensitivity of nanoribbon-based pH-sensors 1-gen-2015 Scarbolo, Paolo; Accastelli, E.; Pittino, Federico; Ernst, T.; Guiducci, C.; Selmi, Luca
Characterization of the Transient Behavior of a GaAs MESFET Using Dynamic I-V and S-parameter Measurements 1-gen-1996 Begin, M; Ghannouchi, F. M.; Beauregards, F; Selmi, Luca; Ricco, B.
Characterization of Transient Effects in the S-Parameters of GaAs MESFETs by means of Pulsed Measurements 1-gen-1994 Begin, M; Ghannouchi, F. M.; Beauregard, F; Selmi, Luca; Ricco, B; Borelli, V.
Closed- and Open- boundary Models for Gate-Current calculation in n-MOSFETs 1-gen-2001 DALLA SERRA, Alberto; Abramo, Antonio; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; Widdershoven, F.
Comparative Analysis of Basic Transport Properties in the Inversion Layer of Bulk and SOI MOSFETs: a Monte-Carlo Study 1-gen-2004 Lucci, Luca; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca
Comparison of Advanced Transport Models for Nanoscale nMOSFETS 1-gen-2009 Palestri, Pierpaolo; Alexander, C; Asenov, A; Baccarani, G; Bournel, A; Braccioli, M; Cheng, B; Dollfus, P; Esposito, A; Esseni, David; Ghetti, A; Fiegna, C; Fiori, G; AUBRY FORTUNA, V; Iannaccone, G; Martinez, A; Majkusiak, B; Monfray, B; Reggiani, S; Riddet, C; SAINT MARTIN, J; Sangiorgi, E; Schenk, A; Selmi, Luca; Silvestri, L; Walczak, J.
Comparison of modeling approaches for the capacitance-voltage and current voltage characteristics of advanced gate stacks 1-gen-2007 Palestri, Pierpaolo; N., Barin; D., Brunel; C., Busseret; A., Campera; P. A., Childs; Driussi, Francesco; C., Fiegna; G., Fiori; R., Gusmeroli; G., Iannaccone; M., Karner; H., Kosina; A. L., Lacaita; E., Langer; B., Majkusiak; C., Monzio Compagnoni; A., Poncet; E., Sangiorgi; Selmi, Luca; A. S., Spinelli; J., Walczak
Comparison of Monte Carlo Transport Models for Nanometer-Size MOSFETs 1-gen-2007 Fiegna, C; Braccioli, M; Brugger, S. C.; Bufler, F. M.; Dollfus, P; AUBRY FORTUNA, V; Jungemann, C; Meinerzhagen, B; Palestri, Pierpaolo; GALDIN RETAILLEAU, S; Sangiorgi, E; Schenk, A; Selmi, Luca
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  • 6 Brevetti 2
  • 6 Brevetti::6.1 Brevetto 2
Autore
  • PALESTRI, Pierpaolo 216
  • ESSENI, David 174
  • DRIUSSI, Francesco 69
  • SANGIORGI, Enrico 54
  • ABRAMO, Antonio 20
  • CARUSO, Enrico 18
  • LIZZIT, Daniel 18
  • LUCCI, Luca 15
  • PITTINO, Federico 15
  • OSGNACH, Patrik 14
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2023 9
  • 2010 - 2019 156
  • 2000 - 2009 159
  • 1990 - 1999 63
  • 1987 - 1989 8
Editore
  • IEEE 38
  • IEEE / Institute of Electrical an... 7
  • Institute of Electrical and Elect... 3
  • Wiley 3
  • Elsevier BV:PO Box 211, 1000 AE A... 2
  • Society for Industrial and Applie... 2
  • American Institute of Physics Inc. 1
  • Cambridge University Press 1
  • DIEGM - Università degli Studi di... 1
  • Elsevier Science BV 1
Rivista
  • IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEV... 66
  • SOLID-STATE ELECTRONICS 31
  • IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 11
  • MICROELECTRONIC ENGINEERING 9
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  • IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS 3
  • IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND... 3
  • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 3
  • IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND M... 2
  • IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY 2
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