ABRAMO, Antonio

ABRAMO, Antonio  

DPIA - DIPARTIMENTO POLITECNICO DI INGEGNERIA E ARCHITETTURA  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
A combined transport-injection model for hot-electron and hot-hole injection in the gate oxide of MOS structures 1-gen-1994 A., Ghetti; Selmi, Luca; Sangiorgi, Enrico; Abramo, Antonio; F., Venturi
A Comparative Analysis of Substrate Current Generation Mechanisms in Tunneling MOS Capacitors 1-gen-2002 Palestri, Pierpaolo; DALLA SERRA, Alberto; Selmi, Luca; M., Pavesi; Rigolli, P. L.; Abramo, Antonio; F., Widdershoven; Sangiorgi, Enrico
A comparison between semi-classical and quantum-mechanical escape-times for gate current calculations 1-gen-2000 DALLA SERRA, Alberto; Abramo, Antonio; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca
A comparison of numerical solutions of the Boltzmann Transport Equation for high energy electron transport silicon 1-gen-1994 Abramo, Antonio; L., Baudry; R., Brunetti; R., Castagné; M., Charef; F., Dessenne; P., Dolfus; R., Dutton; W. L., Engl; R., Fauquembergue; C., Fiegna; M. V., Fischetti; S., Galdin; N., Goldsman; M., Hackel; C., Hamaguchi; K., Hess; K., Hennacy; P., Hesto; J. M., Higman; T., Iizuka; C., Jungemann; Y., Kamakura; H., Kosina; T., Kunikiyo; S., Laux; H., Lin; C., Maziar; H., Mizuno; H. J., Peifer; S., Ramaswamy; N., Sano; P. G., Scrobohaci; S., Selberherr; M., Takenaka; T. W., Tang; K., Taniguchi; J. L., Thobel; R., Thoma; K., Tomizawa; M., Tomizawa; T., Vogelsang; S. L., Wang; X., Wang; C. S., Yao; P. D., Yoder; A., Yoshii
A fully pipelined architecture for the LOCO-I compression algorithm 1-gen-2009 P., Merlino; Abramo, Antonio
A general purpose 2D Schrödinger solver with open/closed boundary conditions for quantum device analysis 1-gen-1997 Abramo, Antonio
A mixed convex/non-convex distributed localization approach for the deployment of indoor positioning services 1-gen-2008 Abramo, Antonio; Blanchini, Franco; L., Geretti; C., Savorgnan
A multi-band model for hole transport in silicon at high energies 1-gen-1992 Abramo, Antonio; F., Venturi; E., Sangiorgi; C., Fiegna; B., Riccò; R., Brunetti; W., Quade; C., Jacoboni
A multi-Band Monte Carlo approach to Coulomb interaction for device analysis 1-gen-1994 Abramo, Antonio; R., Brunetti; C., Jacoboni; F., Venturi; E., Sangiorgi
A new microscopic model for hole transport in silicon with application to sub-micron LDD MOSFETs 1-gen-1991 Abramo, Antonio; C., Fiegna; F., Venturi; R., Brunetti; E., Sangiorgi; C., Bergonzoni; B., Riccò
A new stochastic neuron architecture for efficient FPGA implementation 1-gen-2004 Abramo, Antonio; Martincigh, Matteo
A numerical method to compute isotropic band models from anisotropic semiconductor band structures 1-gen-1992 Abramo, Antonio; F., Venturi; E., Sangiorgi; J. M., Higman; C., Fiegna; B., Riccò
A numerical method to compute isotropic band models from anisotropic semiconductor band structures 1-gen-1993 Abramo, Antonio; F., Venturi; E., Sangiorgi; J. M., Higman; B., Riccò
Advanced Physically Based Device Modeling for Gate Current and Hot Carrier Phenomena in Scaled MOSFETs 1-gen-2002 Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; DALLA SERRA, Alberto; Abramo, Antonio; Sangiorgi, Enrico; M., Pavesi; P., Rigolli; F., Widdershoven
An efficient impact ionization model for silicon Monte Carlo simulation 1-gen-1993 C. S., Yao; D., Chen; R. W., Dutton; F., Venturi; E., Sangiorgi; Abramo, Antonio
An FPGA-based flexible demo-board for endoscopic capsule design optimization 1-gen-2010 Abramo, Antonio; Cavallotti, C.; Dario, P.; Menciassi, A.; Merlino, Pierantonio; Susilo, E.; Valdastri, P.; Vatteroni, M.
An FPGA-based versatile development system for endoscopic capsule design optimization 1-gen-2011 C., Cavallotti; P., Merlino; M., Vatteroni; P., Valdastri; Abramo, Antonio; A., Menciassi; P., Dario
An Improved Model for Electron Mobility Degradation by Remote Coulomb Scattering in Ultra-Thin Oxide MOSFETs 1-gen-2002 Esseni, David; Abramo, Antonio
An Integrated Sensing/Communication Architecture for Structural Health Monitoring 1-gen-2009 P., Merlino; Abramo, Antonio
An isotropic best-fitting band model for electrons and hole transport in Silicon 1-gen-1991 F., Venturi; Abramo, Antonio; E., Sangiorgi; J., Higman; C., Fiegna; B., Riccò