A multi-band model for hole transport in silicon at high energies / A. Abramo; F. Venturi; E. Sangiorgi; C. Fiegna; B. Riccò; R. Brunetti; W. Quade; C. Jacoboni. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - 7(1992), pp. 597-597.

A multi-band model for hole transport in silicon at high energies

ABRAMO, Antonio;
1992

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