Characterization and Modeling of GigaRad-TID-Induced Drain Leakage Current in a 28 nm Bulk CMOS Technology
BORGHELLO, GIULIO
;
2018-01-01
File in questo prodotto:
File | Dimensione | Formato | |
---|---|---|---|
2018 -NSREC - Characterization and Modeling of GigaRad-TID-Induced Drain Leakage Current in a 28-nm Bulk CMOS Technology.pdf
non disponibili
Tipologia:
Documento in Pre-print
Licenza:
Non pubblico
Dimensione
686.77 kB
Formato
Adobe PDF
|
686.77 kB | Adobe PDF | Visualizza/Apri Richiedi una copia |
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.