SEGATTO, MATTIA

SEGATTO, MATTIA  

DPIA - DIPARTIMENTO POLITECNICO DI INGEGNERIA E ARCHITETTURA  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Charge-Trapping-Induced Compensation of the Ferroelectric Polarization in FTJs: Optimal Conditions for a Synaptic Device Operation 1-gen-2022 Fontanini, R.; Segatto, M.; Nair, K. S.; Holzer, M.; Driussi, F.; Hausler, I.; Koch, C. T.; Dubourdieu, C.; Deshpande, V.; Esseni, D.
Interplay between charge trapping and polarization switching in BEOL-compatible bilayer Ferroelectric Tunnel Junctions 1-gen-2022 Fontanini, R.; Barbot, J.; Segatto, M.; Lancaster, S.; Duong, Q.; Driussi, F.; Grenouillet, L.; Triozon, L.; Coignus, J.; Mikolajick, T.; Slesazeck, S.; Esseni, D.
Intrinsic Nature of Negative Capacitance in Multidomain Hf0.5Zr0.5O2-Based Ferroelectric/Dielectric Heterostructures 1-gen-2021 Hoffmann, M.; Gui, M.; Slesazeck, S.; Fontanini, R.; Segatto, M.; Esseni, D.; Mikolajick, T.
Limitations to Electrical Probing of Spontaneous Polarization in Ferroelectric-Dielectric Heterostructures 1-gen-2022 Segatto, M.; Fontanini, R.; Driussi, F.; Lizzit, D.; Esseni, D.
Modeling 1/f and Lorenzian noise in III-V MOSFETs 1-gen-2019 Caruso, E.; Bettetti, F.; DEL LINZ, Leonida; Pin, D.; Segatto, M.; Palestri, P.
Modelling and design of FTJs as multi-level low energy memristors for neuromorphic computing 1-gen-2021 Fontanini, Riccardo; Segatto, Mattia; Massarotto, Marco; Specogna, Ruben; Driussi, Francesco; Loghi, Mirko; Esseni, David
Polarization switching and interface charges in BEOL compatible Ferroelectric Tunnel Junctions 1-gen-2021 Fontanini, R.; Barbot, J.; Segatto, M.; Lancaster, S.; Duong, Q.; Driussi, F.; Grenouillet, L.; Triozon, F.; Coignus, J.; Mikolajick, T.; Slesazeck, S.; Esseni, D.