ASANOVSKI, RUBEN
 Distribuzione geografica
Continente #
EU - Europa 43
NA - Nord America 39
AS - Asia 14
SA - Sud America 1
Totale 97
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 36
IE - Irlanda 34
SG - Singapore 10
IT - Italia 4
CA - Canada 3
CN - Cina 3
DE - Germania 2
RU - Federazione Russa 2
BR - Brasile 1
KR - Corea 1
NL - Olanda 1
Totale 97
Città #
Dublin 32
Chandler 13
Singapore 6
Boardman 3
Toronto 3
Des Moines 2
Modena 2
Nuremberg 2
Ogden 2
Princeton 2
Amsterdam 1
Bagé 1
Beijing 1
Guangzhou 1
Hefei 1
Los Angeles 1
San Michele al Tagliamento 1
Seoul 1
Woodbridge 1
Totale 76
Nome #
New insights on the excess 1/f noise at cryogenic temperatures in 28 nm CMOS and Ge MOSFETs for quantum computing applications 46
Importance of Charge Trapping/Detrapping Involving the Gate Electrode on the Noise Currents of Scaled MOSFETs 30
On the accuracy of the formula used to extract trap density in MOSFETs from 1/f noise 30
Totale 106
Categoria #
all - tutte 740
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 740


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2021/202216 0 0 0 0 0 0 0 0 7 1 1 7
2022/202332 3 2 0 2 1 12 1 2 4 2 1 2
2023/202435 1 0 0 0 12 19 0 0 2 0 0 1
2024/202523 2 3 0 0 0 2 1 2 5 0 4 4
Totale 106