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EnglishWe model the source/drain series resistance and the electrostatic doping effects associated to the source and drain metals in graphene FETs using a Monte Carlo transport simulator. We compare the new model to simulations assuming chemical doping in the source/drain regions. A procedure to include the series resistance as part of the self–consistent Monte Carlo loop is proposed and verified against the widely employed method based on look–up tables.
| Titolo: | Modeling electrostatic doping and series resistance in graphene-FETs | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2016 | |
| Abstract: | We model the source/drain series resistance and the electrostatic doping effects associated to the source and drain metals in graphene FETs using a Monte Carlo transport simulator. We compare the new model to simulations assuming chemical doping in the source/drain regions. A procedure to include the series resistance as part of the self–consistent Monte Carlo loop is proposed and verified against the widely employed method based on look–up tables. | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11390/1104450 | |
| ISBN: | 978-1-5090-0818-6 | |
| Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
File in questo prodotto:
| File | Descrizione | Tipologia | Licenza | |
|---|---|---|---|---|
| sispad-2016-proceedings.pdf | Articolo principale | Versione Editoriale (PDF) | Non pubblico | Accesso ristretto Richiedi una copia |
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http://hdl.handle.net/11390/1104450
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