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IRIS
Prototype sensors for the ATLAS silicon pixel detector have been electrically characterized. The current and voltage characteristics, charge-collection efficiencies, and resolutions have been examined. Devices were fabricated on oxygenated and standard detector-grade silicon wafers. Results from prototypes which examine p-stop and standard and moderated p-spray isolation are presented for a variety of geometrical options. Some of the comparisons relate unirradiated sensors with those that have received fluences relevant to LHC operation.
Electrical characteristics of silicon pixel detectors
I. GORELOV;G. GORFINE;M. HOEFERKAMP;V. MATA BRUNI;G. SANTISTEVAN;S. C. SEIDEL;A. CIOCIO;K. EINSWEILER;J. EMES;M. GILCHRIESE;A. JOSHI;S. KLEINFELDER;R. MARCHESINI;F. MCCORMACK;O. MILGROME;N. PALAIO;F. PENGG;J. RICHARDSON;G. ZIZKA;M. ACKERS;G. COMES;P. FISCHER;M. KEIL;G. MARTINEZ;I. PERIC;O. RUNOLFSSON;T. STOCKMANNS;J. TREIS;N. WERMES;C. GOSSLING;F. HUGGING;J. KLAIBER LODEWIGS;O. KRASEL;J. WUSTENFELD;R. WUNSTORF;D. BARBERIS;R. BECCHERLE;C. CASO;M. CERVETTO;G. DARBO;G. GAGLIARDI;C. GEMME;P. MORETTINI;P. NECHAEVA;B. OSCULATI;L. ROSSI;E. CHARLES;D. FASCHING;L. BLANQUART;P. BREUGNON;D. CALVET;J. C. CLEMENS;P. DELPIERRE;G. HALLEWELL;D. LAUGIER;T. MOUTHUY;A. ROZANOV;I. VALIN;A. ANDREAZZA;M. CACCIA;M. CITTERIO;T. LARI;C. MERONI;F. RAGUSA;C. TRONCON;G. VEGNI;G. LUTZ;R. H. RICHTER;T. ROHE;G. R. BOYD;P. L. SKUBIC;P. SICHO;L. TOMASEK;V. VRBA;M. HOLDER;M. ZIOLKOWSKI;CAUZ, Diego;COBAL, Marina;S. D'AURIA;DE LOTTO, Barbara;C. DEL PAPA;GRASSMANN, Hans;SANTI, Lorenzo Gianni;K. H. BECKS;G. LENZEN;C. LINDER
2002
Abstract
Prototype sensors for the ATLAS silicon pixel detector have been electrically characterized. The current and voltage characteristics, charge-collection efficiencies, and resolutions have been examined. Devices were fabricated on oxygenated and standard detector-grade silicon wafers. Results from prototypes which examine p-stop and standard and moderated p-spray isolation are presented for a variety of geometrical options. Some of the comparisons relate unirradiated sensors with those that have received fluences relevant to LHC operation.
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Citazioni
ND
27
25
social impact
simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
