We present a Monte Carlo simulator for RF graphene FETs including the dominant scattering mechanisms and a simple model for band-to-band tunneling. We found that in state-ofthe- art devices scattering is relevant and degrades the cut-off frequency compared to the predictions of ballistic models.

Simulation of graphene nanoscale RF transistors including scattering and generation/recombination mechanisms

PALESTRI, Pierpaolo;ESSENI, David;SELMI, Luca
2011-01-01

Abstract

We present a Monte Carlo simulator for RF graphene FETs including the dominant scattering mechanisms and a simple model for band-to-band tunneling. We found that in state-ofthe- art devices scattering is relevant and degrades the cut-off frequency compared to the predictions of ballistic models.
2011
9781457705052
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
PAUSSA_IEDM_2011.PDF

non disponibili

Tipologia: Abstract
Licenza: Non pubblico
Dimensione 180.99 kB
Formato Adobe PDF
180.99 kB Adobe PDF   Visualizza/Apri   Richiedi una copia

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11390/882913
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 9
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 3
social impact