IRIS
RicercaInizia una nuova ricerca

NOTA: è possibile cercare una corrispondenza esatta usando i doppi apici, ad es: "evoluzione della specie". Qualora si cerchi un identificativo, è consigliabile cercarlo in due modi differenti: tra apici con caratteri speciali es: "978-94-6366-274" oppure senza caratteri speciali solo come sequenza numerica: es 978946366274.

cerca in
Risultati 61 - 70 di 160 (tempo di esecuzione: 0.025 secondi).
Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Extracting the conduction band offset in strained FinFETs from subthreshold-current measurements 1-gen-2011 VAN HEMERT, T.; Kemaneci, B. K.; Hueting, R. J. E.; Esseni, David; VAN DAL, M. J. H.; Schmitz, J.
Fabrication, Characterization and Modeling of Strained SOI MOSFETs with Very Large Effective Mobility 1-gen-2007 Driussi, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca; M., Schmidt; M. C., Lemme; H., Kurz; D., Buca; S., Mantl; M., Luysberg; R., Loo; D., Nguyen; M., Reiche
Ferroelectric based FETs and synaptic devices for highly energy efficient computational technologies 1-gen-2021 Esseni, D.; Fontanini, R.; Lizzit, D.; Massarotto, M.; Driussi, F.; Loghi, M.
Full Band and Approximated Solutions of the Schr\"odinger Equation in Silicon Inversion Layers 1-gen-2004 Esseni, David; Palestri, Pierpaolo
Full band quantum transport modelling with EP and NEGF methods; Application to nanowire transistors 1-gen-2019 Pala, M.; Esseni, D.
Full-Band Monte Carlo simulations of GaAs p-i-n Avalanche PhotoDiodes: What Are the Limits of Nonlocal Impact Ionization Models? 1-gen-2020 Pilotto, A.; Driussi, F.; Esseni, D.; Selmi, L.; Antonelli, M.; Arfelli, F.; Biasiol, G.; Carrato, S.; Cautero, G.; De Angelis, D.; Menk, R. H.; Nichetti, C.; Steinhartova, T.; Palestri, P.
Hot carrier degradation and damage profiling of cmos devices with biased substrates 1-gen-2000 Driussi, Francesco; Esseni, David; Piazza, F.; Selmi, Luca
Impact of electron velocity on the ION of n-TFETs 1-gen-2010 Hasanali, Virani; Esseni, David; Anil, Kottantharayil
Impact of Interface Traps on the IV Curves of InAs Tunnel-FETs and MOSFETs: A Full Quantum Study 1-gen-2012 Pala M., G; Esseni, David; Conzatti, Francesco
Impact of interface traps on the IV curves of InAs Tunnel-FETs and MOSFETs: A full quantum study 1-gen-2012 Pala, M. G.; Esseni, D.; Conzatti, F.
Risultati 61 - 70 di 160 (tempo di esecuzione: 0.025 secondi).
↑ Back to top
Legenda icone

  •  file ad accesso aperto
  •  file disponibili sulla rete interna
  •  file disponibili agli utenti autorizzati
  •  file disponibili solo agli amministratori
  •  file sotto embargo
  •  nessun file disponibile

Aggiungere filtri:  
Aggiungi
Opzioni
Scopri
Tipologia
  • 4 Contributo in Atti di Convegno ... 160
  • 4 Contributo in Atti di Convegno ... 160
Autore
  • SELMI, Luca 90
  • PALESTRI, Pierpaolo 77
  • DRIUSSI, Francesco 34
  • LIZZIT, Daniel 18
  • PALA, Marco Giuseppe 15
  • CARUSO, Enrico 12
  • CONZATTI, Francesco 8
  • LUCCI, Luca 8
  • BADAMI, Oves Mohamed Hussein 7
  • MASSAROTTO, MARCO 7
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2024 17
  • 2010 - 2019 72
  • 2000 - 2009 64
  • 1994 - 1999 7
Editore
  • IEEE 30
  • Institute of Electrical and Elect... 15
  • Editions Frontieres 2
  • Association for Computing Machinery 1
  • DIEGM - Università degli Studi di... 1
  • Springer Wien New York 1
Rivista
  • ECS TRANSACTIONS 1
  • MICROELECTRONIC ENGINEERING 1
  • PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID... 1
  • SOLID-STATE ELECTRONICS 1
Serie
  • INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMUL... 2
  • PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID... 2
  • TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ... 2
Keyword
  • Electrical and Electronic Enginee... 5
  • FinFETs 4
  • Electronic 3
  • Field effect transistors 3
  • Integrated circuit modeling 3
  • Logic gates 3
  • NEGF 3
  • Neuromorphic Computing 3
  • Optical and Magnetic Materials 3
  • Scattering 3
Lingua
  • eng 119
Accesso al fulltext
  • reserved 96
  • no fulltext 50
  • partially open 7
  • restricted 5
  • open 2