We present an in-house modelling framework for Ferroelectric Tunnelling Junctions (FTJ), and an insightful study of the design of FTJs as synaptic devices. Results show that a moderately ext{low}-k tunnelling dielectric (e.g. SiO2) can increase the read current and the current dynamic range.
Modelling and design of FTJs as high reading-impedance synaptic devices
Fontanini R.
Primo
;Massarotto M.;Specogna R.;Driussi F.;Loghi M.;Esseni D.
2021-01-01
Abstract
We present an in-house modelling framework for Ferroelectric Tunnelling Junctions (FTJ), and an insightful study of the design of FTJs as synaptic devices. Results show that a moderately ext{low}-k tunnelling dielectric (e.g. SiO2) can increase the read current and the current dynamic range.File in questo prodotto:
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