On the Modeling of Surface Roughness Limited Mobility in SOI MOSFETs and its Correlation to the Transistor Effective Field
ESSENI, David
2004-01-01
File in questo prodotto:
File | Dimensione | Formato | |
---|---|---|---|
Esseni_TED2004.pdf
non disponibili
Tipologia:
Altro materiale allegato
Licenza:
Non pubblico
Dimensione
276.37 kB
Formato
Adobe PDF
|
276.37 kB | Adobe PDF | Visualizza/Apri Richiedi una copia |
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.