The five invited papers and 11 contributed papers in this special issue discuss topics such as process variation, device variability, hierarchical modeling tools, and address challenges such as device mismatch and SRAM noise margin variability.

Foreword Special Issue on Characterization of Nano CMOS Variability by Simulation and Measurements

ESSENI, David;
2011-01-01

Abstract

The five invited papers and 11 contributed papers in this special issue discuss topics such as process variation, device variability, hierarchical modeling tools, and address challenges such as device mismatch and SRAM noise margin variability.
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
Sangiorgi_TED_2011.pdf

non disponibili

Tipologia: Documento in Post-print
Licenza: Non pubblico
Dimensione 317.8 kB
Formato Adobe PDF
317.8 kB Adobe PDF   Visualizza/Apri   Richiedi una copia

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11390/904940
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 4
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 1
social impact