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NOTA: è possibile cercare una corrispondenza esatta usando i doppi apici, ad es: "evoluzione della specie". Qualora si cerchi un identificativo, è consigliabile cercarlo in due modi differenti: tra apici con caratteri speciali es: "978-94-6366-274" oppure senza caratteri speciali solo come sequenza numerica: es 978946366274.

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
An improved procedure to extract the limiting carrier velocity in ultra scaled CMOS devices 1-gen-2012 Toniutti, Paolo; Clerc, R; Palestri, Pierpaolo; Diouf, C; Cros, A; Esseni, David; Boeuf, F; Ghibaudo, G; Selmi, Luca
An improved procedure to test CMOS ICs for Latch-up 1-gen-1990 Menozzi, R; Lanzoni, M; Selmi, Luca; Ricco, B.
An Improved Random Path Length Algorithm for p-i-n and Staircase Avalanche Photodiodes 1-gen-2018 Pilotto, Alessandro; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; Antonelli, Matias; Arfelli, Fulvia; Biasiol, Giorgio; Cautero, Giuseppe; Driussi, Francesco; Menk, Ralf H.; Nichetti, Camilla; Steinhartova, Tereza
An Improved Semi-classical Approach for Simulating Tunnel-FETs 1-gen-2012 Revelant, Alberto; Osgnach, Patrik; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca
An Improved Semi-Classical Model to Investigate Tunnel-FET performance 1-gen-2013 Revelant, Alberto; Osgnach, Patrik; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca
An Improved Semi-Classical Monte Carlo Approach for Nano-MOSFET Simulation 1-gen-2005 Palestri, Pierpaolo; Eminente, S; Esseni, David; Fiegna, C; Sangiorgi, E; Selmi, Luca
An improved semiclassical Monte-Carlo approach for nano-scale MOSFET simulation 1-gen-2004 Palestri, Pierpaolo; Eminente, S; Esseni, David; Fiegna, C; Sangiorgi, E; Selmi, Luca
An Improved Surface Roughness Scattering Model for Bulk, Thin-Body, and Quantum-Well MOSFETs 1-gen-2016 Badami, Oves Mohamed Hussein; Caruso, Enrico; Lizzit, Daniel; Osgnach, Patrik; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca
An Improved Test Structure to Characterize Ultra- Low Hot Carrier Injection in Homogeneous Conditions 1-gen-1996 Selmi, Luca; Bez, R; Sangiorgi, Enrico
An in-depth investigation of physical mechanisms governing SANOS memories characteristics 1-gen-2009 M., Bocquet; Vianello, Elisa; G., Molas; L., Perniola; H., Grampeix; F., Martin; J. P., Colonna; A. M., Papon; P., Brianceau; M., Gély; B., De Salvo; G., Pananakakis; G., Ghibaudo; Selmi, Luca
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Autore
  • PALESTRI, Pierpaolo 216
  • ESSENI, David 174
  • DRIUSSI, Francesco 69
  • SANGIORGI, Enrico 54
  • ABRAMO, Antonio 20
  • CARUSO, Enrico 18
  • LIZZIT, Daniel 18
  • LUCCI, Luca 15
  • PITTINO, Federico 15
  • OSGNACH, Patrik 14
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2023 9
  • 2010 - 2019 156
  • 2000 - 2009 159
  • 1990 - 1999 63
  • 1987 - 1989 8
Editore
  • IEEE 38
  • IEEE / Institute of Electrical an... 7
  • Institute of Electrical and Elect... 3
  • Wiley 3
  • Elsevier BV:PO Box 211, 1000 AE A... 2
  • Society for Industrial and Applie... 2
  • American Institute of Physics Inc. 1
  • Cambridge University Press 1
  • DIEGM - Università degli Studi di... 1
  • Elsevier Science BV 1
Rivista
  • IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEV... 66
  • SOLID-STATE ELECTRONICS 31
  • IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 11
  • MICROELECTRONIC ENGINEERING 9
  • ECS TRANSACTIONS 3
  • IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS 3
  • IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND... 3
  • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 3
  • IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND M... 2
  • IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY 2
Keyword
  • TCAD 7
  • Monte Carlo 6
  • Electrical and Electronic Enginee... 5
  • Electronic 5
  • Optical and Magnetic Materials 5
  • Simulation 5
  • Tunnel-FET 5
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  • Modeling 4
  • Charge trapping 3
Lingua
  • eng 286
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Accesso al fulltext
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