Simulation Study of Coulomb Mobility in Strained Silicon

DRIUSSI, Francesco;ESSENI, David
2009-01-01

File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
TED09strain.pdf

non disponibili

Tipologia: Altro materiale allegato
Licenza: Non pubblico
Dimensione 253.58 kB
Formato Adobe PDF
253.58 kB Adobe PDF   Visualizza/Apri   Richiedi una copia

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11390/705850
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 6
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 5
social impact