Damage generation and location in n- and p-MOSFETs biased in the substrate-enhanced gate current regime
DRIUSSI, Francesco;ESSENI, David;SELMI, Luca;
2002-01-01
File in questo prodotto:
File | Dimensione | Formato | |
---|---|---|---|
ted02.pdf
non disponibili
Tipologia:
Versione Editoriale (PDF)
Licenza:
Non pubblico
Dimensione
343.99 kB
Formato
Adobe PDF
|
343.99 kB | Adobe PDF | Visualizza/Apri Richiedi una copia |
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.